晶格失配,如何减少异质结晶格失配产生的界面缺陷

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2是一种高分子半导体材料。其分子式为CuIn3Se5或CuIn 2Se3.5，掺Ga时为Cu(In1-xGax)3Se5或Cu(In1-xGax)2Se3.5。
OVC在CIS/CIGS薄膜太阳电池中起着很重要的作用。
在CIS/CIGS薄膜电池中形成OVC后，CIS/CIGS与CdS之间的异质结变为两个异质结的串联：一个是p-CIS/CIGS与n-OVC构成的反型异质结；另一个是n-OVC与n-CdS构成的同型异质结。异质结的p-n结被做在窄带吸收层CIS/CIGS里，大大减少了结界面处的缺陷。同时，在CIS/CIGS与CdS两个禁带宽度之间形成一个过渡，减小了彼此之间的禁带宽度台阶，从而减小了晶格失配，减小界面态密度，也减小了带边失调值，由原来的－0.298eV减小为－0.276eV，大大改善了异质结的结特性。从而大大改善了电池的性能。

组成晶体的结构粒子（分子、原子、离子）在三维空间有规则地排列在一定的点上,这些点周期性地构成有一定几何形状的无限格子,叫做晶格.按照晶体的现代点阵理论,构成晶体结构的原子、分子或离子都能抽象为几何学上的点.这些没有大小、没有质量、不可分辨的点在空间排布形成的图形叫做点阵,以此表示晶体中结构粒子的排布规律.构成点阵的点叫做阵点,阵点代表的化学内容叫做结构基元.因此,晶格也可以看成点阵上的点所构成的点群集合.对于一个确定的空间点阵,可以按选择的向量将它划分成很多平行六面体,每个平行六面体叫一个单位,并以对称性高、体积小、含点阵点少的单位为其正当格子.晶格就是由这些格子周期性地无限延伸而成的.空间正当格子只有7种形状（对应于7个晶系）,14种型式.它们是简单立方、体心立方、面心立方；简单三方；简单六方；简单四方、体心四方；简单正交、底心正交、体心正交、面心正交；简单单斜、底心单斜；简单三斜格子等.晶格的强度由晶格能（或称点阵能）度量.

它是采用二氧化硅层选择性将二极管及电晶体设置于基底上；在硅基底上形成二氧化硅层，选择性蚀刻二氧化硅层，以定义出二极管预定区及场效电晶体预定区；接续在预定区依序成长二极管、保护层及电晶体，保护层用于将二极管及电晶体作一绝缘隔离。具有提供具有完美结晶度的光电集成电路元件、避免砷化镓基板所产生的晶格缺陷、大幅降低成本及防止其连接导线误触的功效。

最近我也在看这方面儿的，在网上搜晶格参数和晶格常数，这两概念把我弄晕了。幸好在书上找到了蛛丝马迹。
“为了描述晶胞的形状和大小，常采用平行六面体的三条棱边的边长a,b,c(成为点阵常数)及棱间夹角α，β，γ6个点阵参数来表达。
你看看上面这句话，点阵常数就是晶格常数，那么，同理可得：晶格参数就是点阵参数，也就是说：晶格常数是a，b，c，而晶格参数不仅包含晶格常数，还应包括棱间夹角。
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比较了晶格失配度的各种定义,建议统一使用同一定义.采用简化模型系统地探讨了各种情况下半导体外延生长层和衬底的二维晶格失配度的计算,最后讨论了结合XRD衍射图谱确定失配度的方法.结果表明,正三角形晶格和长方形晶格匹配,长方形晶格的宽列原子的匹配具有优先性,不受长列原子匹配的影响.长方形的长宽比接近匹配比时,整体匹配较好.